11月6日，湖南省功率半导体产业对接会暨中国IGBT技术创新与产业联盟（以下简称“IGBT联盟”）第四届国际学术论坛在株洲举行。中国科学院院士陈星弼、中国工程院院士丁荣军、中国工程院院士汤广福等国内外专家、IGBT产业链上下游企业代表近300人参会。当天，湖南省制造业创新中心在株洲揭牌。

　　IGBT，即绝缘栅双极型晶体管，是一种新型功率半导体器件的主流器件，已广泛应用于工业、计算机、航空航天、国防军工、轨道交通、新能源汽车等产业。我国于2014年成立IGBT联盟，旨在整合国内IGBT领域资源，推动我国电力电子技术，特别是IGBT技术与产业化发展。

　　本届论坛上，陈星弼、汤广福两位院士和行业专家代表，从国际技术水平、IGBT产业发展机遇与挑战、IGBT在不同应用领域等方面展开学术交流，共同探讨全球IGBT技术与产业发展趋势，谋划进一步推动我国IGBT技术创新及产业化对策。

　　据介绍，我省正加快发展IGBT等新兴优势产业链。当天，湖南省制造业创新中心在株洲揭牌。该中心致力于打造国家级创新平台，将展开功率半导体产业技术研发及产品开发，面向行业联盟与产业链上下游提供设计、检测等技术服务，开展国际交流和合作等。

　　（文/邓晶琎 易永彤）